s4101-ag凯发旗舰厅
n-channel sic（碳化硅）功率mosfet bare die
s4101
s4101是基于sic的trench mosfet。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。
关于bare die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。
* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性：
drain-source voltage[v]
1200
drain-source on-state resistance(typ.)[mω]
40
generation
3rd gen
drain current[a]
55
junction temperature(max.)[°c]
175
storage temperature (min.)[°c]
-55
storage temperature (max.)[°c]
175
特点：
· low on resistance· fast switching speed
· fast revese recovery
· easy to parallel
· simple to drive
