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    • 对于npn晶体管，发射极接地，给集电极加上正电压时的耐压是规格说明书上记载的vceo。
      （对于pnp晶体管，集电极接地，给发射极加上正电压时的耐压是vceo。）
      与此相反，（npn晶体管集电极接地，给发射极加上正电压时）的耐压与发射极-基极间的耐压大致相等。发射极-基极间的耐压通常为5-7v左右，所以建议使用时要使集电极-发射极间的反向电压保持在5v以下（如果给集电极-发射极间加上接近反向耐压值的电压，就有可能发生hfe下降等性能退化的情况）。集电极-发射极间的反向电压如果在5v以下，就只有漏电流大小的电流通过。





      数字晶体管也如上所述，可对集电极-发射极间（out-gnd间）的反方向施加最大5v的电压，gnd-in中有电阻的情况，电流会通过电阻流过。
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