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    • 确认各特性的实际测量值时，请参考datasheet中记载的特性图。
      • faq id: 1820
    • 随机失效就是在用户使用过程中，存储单元偶然出现失效而使数据产生意外改变。
      eeprom的存储单元，改写次数是有限制的（rohm的产品最多可改写100万次）。
      在此限制次数内，保证不会出现随机失效，这样的保证是哪个公司都没有的（出厂时确认所有bit都没有问题）。
      为了降低随机失效率，rohm采用 w-cell（双单元） 结构，实现了数据的高可靠性。
      • faq id: 7
    • 防止低电压误写入电路（lvcc电路）就会工作，取消写指令，避免错误写入。
      电源上升时注意事项　使电源上升到“ power on reset（p.o.r电路）”工作。

      目标产品： br24lxx series, br25lxx0 series, br93lxx series
      • faq id: 13
    • 每bit保证可改写100万次。
      没有整片ic的可改写次数。
      注1)可改写次数与工作温度条件有关。实际可改写次数数据可另外通过营业部门了解。
      注2)可改写次数与数据保持年数无关。
      • faq id: 17
    • 如果只限于存储单元的数据保存，则这可以表示连续50年在125℃的温度环境下运行的可靠性，但这并不等同于lsi本身的产品寿命。
      • faq id: 2
    • 写入数据的内容和改写次数及保存年数无关。
      • faq id: 1823
    • 环境温度越高，数据改写次数就越少，保存年数越短。除温度之外，没有其他特别因素。产品阵容中也有满足温度保证的产品，请考虑引进。
      • faq id: 1824
    • eeprom写入100万次以后，存储单元内的浮置栅就变得难于保存电荷了，迟早会变得无法写入。
      无法注入电荷的单元变成l 。
      • faq id: 19
    • 无需在未使用区域专门写入数据。
      • faq id: 1825
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