负载开关-ag凯发旗舰厅
关于负载开关on时的浪涌电流
负载开关q1导通瞬间会暂时流过比稳态电流大得多的电流。输出侧的负载容量cl的电荷接近零时,向输出vo施加电压的瞬间会流过大充电电流。
这种流过大电流的现象称作浪涌电流(flash current)。
浪涌电流的峰值大体可以通过输入电压vi、mosfet q1的rds(on)和负载侧负载容量cl的esr确定,输入电压vin变大时,电流也相应变大。
浪涌电流显著变大时,有可能会引起误动作和系统问题。
而且,在超过最大额定电流时,有导致破坏的危险。通过与mosfet q1的栅极、源极间电阻r1并联追加电容器c2, 并缓慢降低q1的栅极电压,可以缓慢地使rds(on)变小,从而可以抑制浪涌电流。
■负载开关等效电路图
关于nch mosfet负载开关on时的浪涌电流应对措施
■nch mosfet负载开关等效电路图
nch mosfet 负载开关:rsq020n03
vin=5v, io=1a, q1_1g=1v→12v
- q2 off时,负载swq1 on。(q1的栅极电压设定在vo(vgsq1)之上。)
- q2 on时,负载swq1 off。
- q1 on时,由于会流过浪涌电流,所以作为应对措施追加c2。
关于负载开关off时的逆电流
即使在负载开关q1从on到off时,由于存在输出侧负载容量cl,所以输出vo引脚的电压会残留一定时间。
输入vi侧比输出vo侧电压低时,由于mosfet q1的漏极、源极间存在寄生二极管,所以有时寄生二极管导通会发生从输出vo侧到输入vin侧的逆电流。
要注意,不要超过mosfet q1的额定电流值。
关于输入旁路电容器cin的容量值,请在充分探讨负载侧条件、上升时间后再决定。