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关于mosfet的寄生容量和温度特性

mosfet的静电容量

功率mosfet在构造上，如图1存在寄生容量。
功率mosfet在构造上，如图1存在寄生容量 mosfet的g (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘，ds (漏极、源极) 间形成pn接合，成为内置二极管构造。c_gs, c_gd容量根据氧化膜的静电容量、c_ds根据内置二极管的接合容量决定。

一般而言mosfet规格书上记载的是表1中的c_iss/c_oss/c_rss三类。

容量特性如图2所示，对ds (漏极、源极) 间电压v_ds存在依赖性。v_ds大则容量值小。

温度特性

实测例见图(1) ~ (3)所示
关于容量特性的温度依存性几乎没有差异。

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关于mosfet的开关及其温度特性

关于mosfet的开关时间

栅极电压on/off之后，mosfet才on/off。这个延迟时间为开关时间。开关时间如表1所示种类，一般而言，规格书上记载t_d(on)/ t_r/ t_d(off)/ t_f。

rohm根据图2电路的测定值决定规格书的typ.值。

温度特性

实测例如图3(1)~(4)所示。
温度上升的同时开关时间略微增加，但是100°c上升时增加10%成左右，几乎没有开关特性的温度依存性。

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关于mosfet的v_gs(th)(界限値)

关于mosfet的v_gs(th)

mosfet开启时，gs (栅极、源极) 间需要的电压称为v_gs(th)（界限值)。
即输入界限值以上的电压时mosfet为开启状态。
那么mosfet在开启状态时能通过多少a电流？针对每个元件，在规格书的电气特性栏里分别有记载。

表1为规格书的电气特性栏示例。该情况下，输入v_ds=10v时，使1ma电流通过i_d所需的栅极界限值电压i_d(th)为1.0v to 2.5v。

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i_d-v_gs特性和温度特性

i_d-v_gs特性和界限值温度特性的实测例如图1、2所示。
如图1，为了通过绝大部分电流，需要比较大的栅极电压。
表1所记载的机型，其规格书上的界限值为2.5v以下，但是为4v驱动产品。
使用时请输入使其充分开启的栅极电压。

如图2，界限值随温度而下降。
通过观察界限值电压变化，能够计算元件的通道温度。