igbt(绝缘栅双极晶体管)-ag凯发旗舰厅
什么是igbt(绝缘栅双极晶体管)?
igbt是 "insulated gate bipolar transistor"的首字母缩写,也被称作绝缘栅双极晶体管。
igbt被归类为功率半导体元器件晶体管领域。
功率半导体元器件的特点
除了igbt外,功率半导体元器件(晶体管领域)的代表产品还有mosfet、bipolar等,它们主要被用作半导体开关。
根据其分别可支持的开关速度,bipolar适用于中速开关,mosfet则适用于高频领域。
igbt是输入部为mosfet结构、输出部为bipolar结构的元器件,通过这两者的复合化,既是使用电子与空穴两种载体的双极元件,同时也是兼顾低饱和电压(与功率mosfet的低导通电阻相当)和较快的开关特性的晶体管。
尽管其具有较快的开关特性,但仍比不上功率mosfet,这是igbt的弱点。
【功率元器件的基本结构与特点】
mosfet | bipolar | igbt | |
基本结构 | |||
控制 | 栅极电压 | 基极电流 | 栅极电压 |
容许电流 | ✕ | △ | ○ |
开关 | ○ | ✕ | △ |
导通电阻 | ✕ | △ | ○ |
- mosfet
- 是指半导体元件的结构为metal(金属)- oxide(半导体氧化物)- semiconductor(半导体)的三层结构的field-effect transistor(场效应晶体管)。
- bipolar
- 是指使用了双极性元件,将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。